應用領域：
1. 高溫材料制備
- 碳材料處理：石墨化碳纖維、高純石墨制品的燒結（如電極、坩堝），提升導電性與耐高溫性能。
- 碳化硅（SiC）晶體生長：在真空或惰性氣氛中生長單晶碳化硅，用于功率半導體器件。
2. 半導體與光電子
- 硅外延片生產：石墨加熱體提供均勻高溫環(huán)境，沉積硅薄膜（如太陽能電池、集成電路）。
- 藍寶石退火：真空下消除藍寶石襯底內應力，提升LED外延質量。
3. 粉末冶金與陶瓷
- 硬質合金燒結：WC-Co等材料的高溫燒結，石墨模具耐高溫且不污染工件。
- 特種陶瓷合成：氮化硼（BN）、碳化硼（B₄C）的真空反應燒結，利用石墨發(fā)熱體穩(wěn)定性。
4. 金屬熱處理
- 高溫合金熱處理：鈦合金、鎳基合金的真空退火/固溶處理，避免氧化與脫碳。
- 磁性材料加工：釹鐵硼（NdFeB）永磁體的真空燒結，優(yōu)化磁性能。
5. 科研與前沿技術
- 石墨烯制備：化學氣相沉積（CVD）法生長石墨烯，石墨爐提供均勻熱場。
- 核材料研究：石墨慢化劑的高溫性能測試，模擬核反應堆極端環(huán)境。

技術特點：
1. 石墨核心組件設計
- 發(fā)熱體與隔熱層：
- 石墨發(fā)熱體：耐高溫（可達3000°C）、抗熱震，適用于快速升降溫。
- 石墨隔熱屏：多層反射結構（如石墨氈+碳纖維），減少熱損失，熱效率提升30%~50%。
- 爐膛材料：高純等靜壓石墨，低灰分（灰分≤50 ppm），避免污染敏感材料。
2. 真空與氣氛控制
- 真空系統(tǒng)：極限真空度≤5×10⁻³ Pa，配備分子泵+機械泵組，抑制高溫氧化。
- 氣氛兼容性：支持Ar、N₂、H₂等惰性/還原氣體，流量控制精度±1%，氧含量≤1 ppm。
3. 高溫與均勻性
- 溫度范圍：室溫~3000°C（分階段擴展），多區(qū)獨立控溫（±2°C，高溫段）。
- 熱場均勻性：通過石墨發(fā)熱體排布優(yōu)化，爐內有效區(qū)溫差≤±5°C（2000°C時）。
4. 高效加熱與冷卻
- 快速升溫：升溫速率可達20°C/min（2000°C以下），滿足動態(tài)工藝需求。
- 冷卻方式：
- 氣冷：高純惰性氣體強制循環(huán)，降溫速率可控（如10°C/min）。
- 水冷系統(tǒng)：爐殼與電極水冷結構，保障設備長期穩(wěn)定運行。
5. 智能化與安全
- 工藝自動化：預設多段溫度-真空曲線，支持工藝參數(shù)存儲與遠程監(jiān)控。
- 實時監(jiān)測：紅外測溫儀+熱電偶雙重反饋，數(shù)據(jù)記錄與異常報警（如真空泄漏、過溫）。
- 安全防護：
- 石墨防氧化保護：低溫充氮、高溫真空聯(lián)鎖機制。
- 過流/過壓保護：自動斷電與應急氣體注入系統(tǒng)。